CVD/PECVD系统
1200℃高温真空CVD设备高温真空CVD设备是一种特殊的高真空CVD系统，广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
1200℃石墨烯生长炉KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。
立式PECVD设备广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
高真空PECVD设备广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
滑道式PECVD系统滑道式PECVD系统由PT-1200T管式炉加热系统、真空系统、质量流量计供气系统、等离子射频电源系统组成。广泛应用于沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）等。
高温化学气相沉积系统/cvd镀膜主要用于TaC、HfC等物料及其复合碳化物等超高熔点涂层化学气相沉积制备工艺研究
三温区CVD设备此款三温区CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
双炉体CVD设备该双炉体CVD系统为定制款，适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
3通道CVD设备此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
