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高真空PECVD设备

高真空PECVD设备

型号:KJ-T1200-S5030-H

简介:广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、石墨烯材料等。

产品简介

广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、石墨烯材料等。

性能特点

  • 成品质量好
  • 沉积效果好
  • 薄膜应力大小可调

PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜

可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小

技术参数

技术参数

产品名称

高真空PECVD设备

滑轨管式炉部分

产品型号

KJ-T1200-S5030-H

炉管尺寸

Φ50mmX1600mm (其他尺寸可根据客户需求定制)

炉管材质

石英管

加热区

300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

工作温度

≤1100℃

最高温度

1200℃

温控方式

N型热电偶

控制方式

触屏控制,带独立摇臂,可以根据实际使用需求,调节温控屏的角度,使用更方便

控温精度

±1℃

温控保护

具有超温和断偶保护功能

升温速率

建议≤10ºC/min

加热元件

含钼电阻丝

炉膛材料

氧化铝多晶纤维

炉体结构

炉体带滑轨,可实现快速升温和降温

法兰接头

标配配有两个不锈钢真空法兰,已安装机械压力表和不锈钢截止阀

密封系统

该炉炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸,气密性好。

壳体

不锈钢壳体

选配

辅助降温风扇

真空系统部分

名称

真空系统

主要参数

1.采用进口安捷伦高真空分子泵组,极限真空度可达10-3pa

2.KF25快接,不锈钢波纹管,手动挡板阀与法兰,真空泵相连;

3.数字式真空显示,测量精度高

气路系统部分

名称

四路质量流量计

主要参数

四通道精密质量流量计:触屏控制,数字显示,自动控制。

4个不锈钢针阀安装在供气系统的左侧,可手动控制4种气体;

进出气口:3进1出

流量控制:手动旋转式调节

等离子电源部分

名称

500W等离子电源

售后服务

质保一年,终身保修(耗材类:高温密封圈、炉管、加热元件等不属于质保范围)

配置功能可选

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