等离子体增强CVD系统(PECVD)
PECVD带尾气处理装置我公司根据实验要求设计了此设备，设备设计满足各类薄膜研究的需求。
PECVD旋转管式炉适用于粉体材料的表面薄膜沉积，在大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。
管式PECVD等离子气相沉积系统主要用于金属粉末气相沉积镀膜。
管式PECVD系统该系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
摇臂式集成控制PECVD设备科佳高真空PECVD设备由管式炉、真空系统、气体供应系统、射频电源系统等组成。该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长，，如SiOx、SiNx、SiOxNy和非晶硅（a-Si:H）。
高温PECVD设备1、与普通PECVD相比较，其沉积温度大大降低，减少了高温对薄膜的损坏；
2、可通过炉体滑动来达到快速升温和快速降温的效果；
3、炉体有两个温区，可在炉体内形成温度梯度，两个温区最大温差为400℃；
4、带有预热炉，气体可通过此炉预热也可将液体蒸发气化或固体原料升华后与气体原料混合。
六通道PECVD设备该pecvd设备是由管式炉真空泵和六通道质量流量计气体流动系统组成的。它可以混合1-6种气体用于PECVD或扩散。
PECVD系统适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
卷对卷PECVD设备整套体系可在真空/气氛保护环境下工作。 收放卷机构转速从1~400mm/min可调,机构采用反馈调节，可自动纠正转速偏差，保证样品的速度稳定不走样。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
