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等离子体增强CVD系统(PECVD)
立式PECVD设备广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
1200℃石墨烯生长炉KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。
混气管式PECVD系统 该设备可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层等领域。
温度范围
1100°C 1400°C 1700°C
开门方式
侧开门/上开门/下开门/底部升降式/台车式
工艺应用
烧结/钎焊/退火/回火/热处理
加热元件及温区
电阻丝/硅碳棒/硅钼棒
单温区/多温区
炉膛尺寸
标准型/非标定制型
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以卓越的产品与解决方案为纽带，构建了一个横跨产学研、贯通海内外的全球合作生态网络，为前沿科研与尖端制造提供坚实支撑。
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