产品简介

广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

性能特点

等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜

PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小

产品名称	定制PECVD设备
产品型号	KJ-PECVD-DZ
立式管式炉
炉膛模式	立式开启式
炉膛材料	高纯度氧化铝耐火纤维
加热元件	含钼加热丝
极限温度	1200℃
工作温度	≤1100℃
升温速率	建议≤10℃/min
加热温区	单温区、多温区
温区长度	200mm、300mm、440可选（其他尺寸可根据客户需求定制）
炉管材质	高纯石英
炉管直径	40mm/50mm/60mm/80mm/100mm/120mm/150mm可选（其他尺寸可根据客户需求定制）
密封方式	304不锈钢真空法兰一套(含密封硅胶圈)
控制模式	触屏 30段智能PID程序控温预留通讯接口
控温精度	±1℃
温度曲线	多段"时间—温度曲线"任意可设
测温元件	N型热电偶
气路系统
气体通道	可同时连接多种气源
流量计	质量流量计
气路压力	-0.1～0.15 MPa
截止阀	不锈钢材质
气体连接管	1/4不锈钢管
等离子电源系统
功率范围	0-100W、0-300W 、0-500W ± 1%
冷却	风冷
数显真空计及连接件
数显真空计	数显真空计安装在不锈钢法兰上
真空泵组(相关连接配件)
真空泵	真空泵,及相应连接管件
汽化系统	...
蠕动泵	精确度：+/- 0.5% FS 流量: 0 - 10 ml/min，可调，最小速率0.1ml/min