等离子体增强CVD系统(PECVD)
1200℃PECVD系统该PECVD管式炉度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
石墨烯生长炉PECVD设备KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制备机是由KJ-T1200开启式滑轨管式炉、真空系统、质量流量计气路系统、等离子电源系统组成。可适用于石墨烯生长等
等离子体增强化学气相沉积系统等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电（等离子体）使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜技术生长的一种系的制备技术。我公司依据实验要求设计制作该款设备以适应各类薄膜研究的需要。
混气PECVD设备KJ-T1200 PECVD 是一种 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）的管式炉系统，它由 500W 射频电源、带有 200毫米直径石英管的可拆分管式炉、真空泵和三通道质量流量计气体流动系统组成。它可以混合 1-3 种气体用于 CVD 或扩散。
带预热系统滑动式PECVD设备是应用于生长纳米线或用CVD方法来制作各种薄膜的一款新的探索工具。
滑道式PECVD系统滑道式PECVD系统由PT-1200T管式炉加热系统、真空系统、质量流量计供气系统、等离子射频电源系统组成。广泛应用于沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）等。
高真空PECVD设备(六通道)可应用于纳米材料生长，石墨烯生成、金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜等各种薄膜等
旋转PECVD系统 该系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
高真空PECVD设备广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
