产品简介

该PECVD管式炉度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

性能特点

PECVD比普通CVD具有更高的化学气相沉积速率、更好的均匀性、一致性和稳定性

PECVD对于化学气相沉积需要比普通CVD更低的温度

具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

产品名称		1200℃PECVD系统
产品型号		KJ-PECVD-1200-50*300-F3
加热系统	显示	LED
	最高温度	1200℃
	长期工作温度	≤1100℃
	升温速率	0~10℃/min
	温区长度	300mm（其他尺寸可根据客户需求定制）
	加热元件	硅钼棒
	热电偶	N型
	温度均匀性	±1℃
	炉管尺寸	直径60 x 长度1200mm（其他尺寸可根据客户需求定制）
	炉管尺寸	材质：氧化铝
	温度控制	通过可控硅功率控制进行PID自动控制
	加热过程	30步可编程
	最大工作压力	0.02MPa
真空系统	旋片泵	冷态极限真空10Pa
	真空计	数显真空计
	真空法兰	带阀门和针头的不锈钢真空法兰
质量流量计	流量范围	CO2（流量范围：0-200 sccm CH4（流量范围：0-200 sccm） N2 流量范围（流量范围：0-200 sccm）
等离子射频发生器	输出功率：0 -300W可调，±1%稳定性射频频率：13.56 MHz ±0.005% 稳定性