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1200℃石墨烯生长炉

1200℃石墨烯生长炉

型号:KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S

简介:KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统,是专门为在金属箔(像铜箔、铝箔等)上生长薄膜而设计,广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上,特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。

产品简介

KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统,是专门为在金属箔(像铜箔、铝箔等)上生长薄膜而设计,广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上,特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。

性能特点

  • 成品质量好
  • 沉积效果好
  • 智能多段PID可编程

PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜

采用双层壳体结构和宇电控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制

技术参数

技术参数

品名称

1200℃石墨烯生长炉

产品型号

KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S

管式炉

加热区长度

440mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

工作温度

≤1100℃

最高温度

1200℃

炉管尺寸

Φ60×1440mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

等离子射频电源

输出功率

5 ~500W    ± 1% . 

真空泵机组(双极旋片泵)

真空度

10-3torr

波纹管

KFD25 快接,不锈钢波纹管,手动挡板阀与法兰,真空泵相连.

质量流量计

四通道控制

精度0.02% 、数字显示、自动控制

水冷系统

水冷法兰要求

水流量 >= 10L/M ,配有专业水冷机组

 

配置功能可选

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