产品简介

该系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。

技术参数

产品名称	管式PECVD系统
滑道管式炉部分
产品型号	KJ-T1200
加热区长度	300mm（其他尺寸可根据客户需求定制）
炉管尺寸	直径120*1600mm（其他尺寸可根据客户需求定制）
工作温度	≦1100℃
最高温度	1200℃
测温元件	N型热电偶
温控系统	30段PID微电脑可编程自动控制
保温温控精度	±1℃
温控保护	具有超温和断偶保护功能
升温速率	0-10℃/min
加热元件	电阻丝
炉膛材料	采用多晶纤维炉膛材料，材料保温性能好、反射率高、温场均衡
密封系统	该炉炉管与法兰之间采用O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸，气密性好
炉管	高纯石英管
法兰	304不锈钢密封法兰，已安装机械压力表和不锈钢截止阀，方便拆卸，放取材料
炉体结构	厚钢板双向滑轨，可实现管式炉移动，达到快速升温和降温
真空系统部分
名称	旋片泵
主要参数	极限真空度10Pa（包含KF25接口、真空挡板阀和可移动箱体）
真空显示	电阻数显真空计，显示范围标准大气压--10-1pa
气路系统部分
名称	四路质量流量计
气路	四路
流量控制	数字显示，每路气体含有针阀单独控制，气体流量自动控制
进出气口	四进一出，内置精密混气罐
链接方式	双卡套接头
流量范围	MFC1-MFC4：0-500sccm（量程可选）
控制精度	±1.5%F.S左右，量程不同，略有差别
等离子射频器部分
名称	射频自动匹配器
匹配功率范围	0-500W
工作频率	13.56MHZ+0.005%
正常工作反射功率	＜3W
匹配时间	＜3S
传输效率	＞90%