产品简介

此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

性能特点

炉管采用刚玉材质，工作温度可达1500度，具有高温稳定性和耐腐蚀性，加热均匀性好

控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，控温精度可以达到±1℃

采用触屏操作系统，数据可存储可通过EXCEL输出

产品名称		3通道CVD设备
型号		KJ-T1600 -3M
管式炉部分	显示	液晶触摸屏
	最高温度	1600℃
	工作温度	≤1500℃
	升温速率	建议0~10℃/min
	温区	300mm（其他尺寸可根据客户需求定制）
	加热元件	硅钼棒
	热电偶	B型
	温度控制精度	±1℃
	炉管尺寸	外径80mm*长度1000mm（其他尺寸可根据客户需求定制）
	炉管尺寸	材质：刚玉
	塞砖	包括两个纤维陶瓷块，用于阻挡来自管内的热辐射（陶瓷块必须在加热前完全插入炉腔）
	温度控制	PID自动控制
	真空法兰	带阀门的不锈钢真空法兰
质量流量计（液晶触摸屏）	三台精密质量流量计： MFC 1：气体流量范围0~100 sccm MFC 2：气体流量范围0~200 sccm MFC 3：气体流量范围0~200 sccm （气体流量范围可根据您的要求）底壳安装1个气体混合罐，底壳左侧安装3个不锈钢针阀，手动控制3种气体混合
更多参数可按需定制