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三温区CVD设备

三温区CVD设备

型号:KJ-OTF-1700-F5

简介:此款三温区CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

产品简介

此款三温区CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

性能特点

  • PID程控控制系统
  • 耐冲击高真空系统
  • 刚玉材质炉管

控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠

高真空系统采用高压强,耐冲击真空泵,防止意外漏气造成真空泵损坏,延长系统使用寿命

炉管采用刚玉材质,工作温度可达1600度,具有高温稳定性和耐腐蚀性,加热均匀性好

技术参数

 技术参数

名称 高温三温区CVD设备
型号 KJ-OTF-1700-F5
加热系统 显示 LED
最高温度 1700℃
工作温度 ≤1600℃
升温速率 建议0~10℃/min
温区数量 3
温区长度 220mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热元件 硅钼棒
热电偶 B型
控温精度 ±1℃
管尺寸 外径80mm * 长度1400mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
材质:刚玉
温度控制 PID自动控制
温控方式 30段可编程
真空计 复合真空计
真空法兰 带阀门和针头的不锈钢真空法兰
真空泵系统 真空泵组
(旋片泵+扩散泵)
 
冷态极限真空6.67*10-3Pa。
质量流量计(5气路) 流量范围 (20, 30, 50, 100, 200, 300, 500) SCCM

 

配置功能可选

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