CVD/PECVD系统
等离子体增强化学气相沉积系统等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电（等离子体）使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜技术生长的一种系的制备技术。我公司依据实验要求设计制作该款设备以适应各类薄膜研究的需要。
1200℃PECVD系统该PECVD管式炉度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
PECVD系统适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
卷对卷PECVD设备整套体系可在真空/气氛保护环境下工作。 收放卷机构转速从1~400mm/min可调,机构采用反馈调节，可自动纠正转速偏差，保证样品的速度稳定不走样。
三温区CVD系统该CVD系统广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域
高温CVD系统主要用于真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境。适用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
六通道PECVD设备该pecvd设备是由管式炉真空泵和六通道质量流量计气体流动系统组成的。它可以混合1-6种气体用于PECVD或扩散。
高温PECVD设备1、与普通PECVD相比较，其沉积温度大大降低，减少了高温对薄膜的损坏；
2、可通过炉体滑动来达到快速升温和快速降温的效果；
3、炉体有两个温区，可在炉体内形成温度梯度，两个温区最大温差为400℃；
4、带有预热炉，气体可通过此炉预热也可将液体蒸发气化或固体原料升华后与气体原料混合。
CVD 化学气相沉积系统CVD 管式炉系统由：管式炉加热区系统，质子流量计供气系统，真空系统和气体定量系统组成。适用于 CVD 工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO 纳米结构的可控生长、陶瓷电容 (MLCC) 气氛烧结等实验。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
