CVD/PECVD系统
1200度CVD设备KJ-T1200 CVD是一种管式炉，配备100mm直径石英管、真空泵和五通道质量流量计气体流动系统。 它可以混合1-5种气体用于CVD或扩散。该CVD高温管式炉主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
带蒸发器定制款CVD系统广泛应用于半导体工业中，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料等的镀膜，该设备可在目标材料表面形成密集的HfCl4涂层.
四路高温真空CVD设备化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中广泛用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
1200℃双管滑道式CVD系统专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究。
流化床CVD系统主要用于物料及其复合碳化物等超高熔点涂层化学气相沉积制备工艺的研究。
箱式化学气相沉积系统应用于大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。广泛用于高等院校、科研单位、工矿企业进行：高温实验、材料烧结、成分分析，质量检测等热处理工作。
混气管式PECVD系统 该设备可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层等领域。
小型CVD管式炉适用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火等试验。
1200度三温区CVD管式炉该系统广泛用于各种反应温度在1100℃左右的CVD实验，如半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
