CVD/PECVD系统
立式双温区CVD系统该设备适用于CVD工艺，主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
低真空CVD系统此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
摇臂式集成控制PECVD设备科佳高真空PECVD设备由管式炉、真空系统、气体供应系统、射频电源系统等组成。该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长，，如SiOx、SiNx、SiOxNy和非晶硅（a-Si:H）。
带预热系统滑动式PECVD设备是应用于生长纳米线或用CVD方法来制作各种薄膜的一款新的探索工具。
KJ150-XK实验型氧化扩散炉郑州科佳KJ150-XK是一款管式扩散氧化炉，适用于企业研发、大学及科研院所的科研与教学。可满足多晶硅、氮化硅、扩散、氧化、退火等工艺。
管式PECVD系统该系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
高温化学气相沉积系统该高温化学气相沉积系统的工作温度为300℃至1600℃，配备真空泵，气体混合装置。采用智能温度控制系统，气体流量控制精度高，易于操作，出色的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
1500℃高温CVD 系统此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
混气PECVD设备KJ-T1200 PECVD 是一种 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）的管式炉系统，它由 500W 射频电源、带有 200毫米直径石英管的可拆分管式炉、真空泵和三通道质量流量计气体流动系统组成。它可以混合 1-3 种气体用于 CVD 或扩散。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
