产品简介

此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

性能特点

双层壳体上开启结构，取放炉管方便，装有风冷系统,炉子外壳温度保持安全范围内

控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，控温精度可以达到±1℃

炉管采用刚玉材质，工作温度可达1500度，具有高温稳定性和耐腐蚀性，加热均匀性好

产品名称		1600 CVD 系统
产品型号		KJ-T1600 CVD
管式炉	显示	LED
	炉体	分体式和上部可以打开
	最高温度	1600℃
	工作温度	≤1500℃
	升温速率	建议 0~10℃/min
	温区	300mm（其他尺寸可根据客户需求定制）
	加热元件	硅钼棒
	热电偶	B 型
	温度控制精度	±1℃
	炉管	80 x 1000mm (外径 x 长度) （其他尺寸可根据客户需求定制）
	炉管	材质：高纯氧化铝管
	温度控制	通过可控硅功率控制进行PID自动控制
	加热曲线	30 步可编程
	真空法兰	带阀门的不锈钢真空法兰
真空泵系统	旋片真空泵+扩散真空泵	真空泵组：极限真空10-6 Torr。
质量流量计	四个精密质量流量计：底壳安装1个气体混合罐，底壳左侧安装6个不锈钢针阀，手动控制6种气体混合