四路高温真空CVD设备

型号：KJ-T1200-S60K-4C

简介：化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中广泛用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。

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产品简介

化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中广泛用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。

性能特点

可快速加热和降温
三温区独立控温
智能PID多段程序控温

炉底安装一对滑轨，可用手动滑动，是低成本快速热处理的理想炉子

三温区独立控温，可以在加热区内形成温度梯度或是形成较长的恒温区域

控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，控温精度可以达到±1℃

技术参数

产品名称	四路高温真空CVD设备
产品型号	KJ-T1200-S60K-4C
工作温度	≤1100°C
最高温度	1200°C
加热速率	建议：0- 10°C/min
加热区	三温区
加热区长度	200+350+200mm （其他尺寸可根据客户需求定制）
控温精度	±1°C
炉管直径	直径60mm，长度约1200mm-1400mm （其他尺寸可根据客户需求定制）
真空法兰	两个不锈钢密封法兰，法兰上已经安装数字式真空显示计，和阀门通过机械泵真空压力可以达到5x10-2 torr
温控	智能PID多段程序控温
加热曲线	30段可编程
质子流量计	4路精密质子流量计：数字显示、气体流量自动控制。 MFC 1范围: 0~100 sccm MFC 2范围: 0~200 sccm MFC 3范围: 0~200 sccm MFC 4范围: 0~500 sccm 气路:4路流量精度: 0.2% 进气和出气接口: 1/4" 卡套一个混气罐。每路气路都有一个独立的不锈钢针阀控制。通过控制面板上的旋钮来调节气体流量。