1200度三温区CVD管式炉

型号：KJ-1200T-S60LK3-3FZ

简介：该系统广泛用于各种反应温度在1100℃左右的CVD实验，如半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。

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产品简介

该系统广泛用于各种反应温度在1100℃左右的CVD实验，如半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。

性能特点

保温节能炉膛
安全防烫炉壳
PID30段程序化控温

内炉膛表面涂有高纯度氧化铝涂层材料提高反射率及炉膛洁净度

炉壳采用双层壳体结构，并带有风冷系统，用于降低壳体表面温度

控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，控温精度可以达到±1℃

技术参数

设备名称	温区CVD管式炉
设备型号	KJ-1200T-S60LK3-3FZ
高温炉壳	采用双层壳体结构，并带有风冷系统，用于降低壳体表面温度
加热元件	电阻丝
最高工作温度	1200℃
工作温度	≤1100℃
升温速率	建议≤10 ℃/min
炉管材质尺寸	石英管: 外径: 80mm x 内径: 75 mm x 长度: 1000 mm （其他尺寸可根据客户需求定制）
加热区长度	三温区：200+200+200 mm （其他尺寸可根据客户需求定制）
控温系统	PID30段程序化控温
控温精度	+/- 1 ℃
真空密封系统	两个不锈钢密封法兰(上面已安装真空计和截止阀），最大漏气率6 mtorr/min
真空泵	双旋机械泵
真空显示计	数显真空计,已安装在不锈钢法兰上
混气系统	三个质量流量计三路质量量程分别为 10-100 cc/min. 16-160 cc/min. 25-250 cc/min 内部安装有一混气罐
售后服务	质保一年，终身保修