产品简介

广泛应用于半导体工业中，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料等的镀膜，该设备可在目标材料表面形成密集的HfCl4涂层.

性能特点

控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，控温精度可以达到±1℃

气路选用液晶屏触摸界面，使得操作异常简单、方便设置各项技术参数

专利技术快接法兰，带阀门和相关接口，拆装方便，可抽真空充保护气体至微正压

产品名称	CVD系统
产品型号	KJ-T1600-CVD
第一部分：定制坩埚炉（蒸发系统）
使用温度	超过500℃
工作区尺寸	Φ150 x H320mm（不锈钢内胆的有效尺寸）（其他尺寸可根据客户需求定制）
坩埚	不锈钢材质，形式及具体要求可定制
加热元件	电阻丝
升温速率	0-10°C/min
漏率	20Pa/min
第二部分：定制小管式炉（混气系统）
使用温度	超过500℃
工作区尺寸	Φ150 x H200mm（不锈钢内胆尺寸）（其他尺寸可根据客户需求定制）
混气罐	不锈钢
加热元件	电阻丝
漏率	20Pa/min
第三部分 1600度管式炉（反应器）
最高温度	1600℃
长期工作温度	1500℃
炉管尺寸	OD100/ID90,加热区300mm （其他尺寸可根据客户需求定制）
炉管材质	高纯氧化铝管
加热元件	硅钼棒
漏率	20Pa/min
真空度	抽真空度到-7*10-3Pa 压力范围不超过0.02MPa
更多参数可根据需求定制