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18137195607
产品简介
应用于大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。广泛用于高等院校、科研单位、工矿企业进行：高温实验、材料烧结、成分分析，质量检测等热处理工作。
性能特点
- 工作温度可选
- 适用范围广
- 可设置30段升降温程序
不同的加热元件达到最高1200℃、1400℃、1700℃，温场均衡，可根据需求选择温度
是半导体工业中应用广泛的用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等
控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，移相触发，控温精度可以达到±1℃
技术参数
技术参数
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型号 |
KJ-M1200-Z |
KJ-M1400-Z |
KJ-M1700-Z |
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最高温度 |
1200℃ |
1400℃ |
1700℃ |
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工作温度 |
≤1100℃ |
≤1300℃ |
≤1600℃ |
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加热元件 |
含钼电阻丝 |
优质硅碳棒 |
优质硅钼棒 |
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升降方式 |
底部液压升降 |
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热电偶 |
N型 |
S型 |
B 型 |
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炉膛尺寸（mm） |
150x150x150 |
300x300x300 |
500x500x500 |
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200x200x200 |
300x300x400 |
600x600x600 |
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200x200x300 |
400x400x400 |
800x800x800 |
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炉膛材质 |
氧化铝陶瓷纤维 |
氧化铝陶瓷纤维 |
氧化铝陶瓷纤维 |
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加热速度 |
0-10℃/min |
0-10℃/min |
0-10℃/min |
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温控精度 |
±1℃ |
±1℃ |
±1℃ |
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其他规格可以按照客户要求定制 |
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选配 |
坩埚、触屏控温、电脑温控软件等 |
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注意事项 |
1.为了提升炉组件的寿命,建议升温速率不超过10℃/min。 2.冷却速率应不超过5℃/min。 3.该炉无真空密封性，禁止通入有毒或爆炸性气体。 4.在炉膛的表面上可能会出现小裂纹。这是一个正常的现象，不影响正常使用，裂纹可以用氧化铝涂层修复。 5.加热炉膛可更换 6.若燃烧物料释放蒸气或冒烟，请将炉膛放入通风柜内操作。 |
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温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
