产品简介

CVD 管式炉系统由：管式炉加热区系统，质子流量计供气系统，真空系统和气体定量系统组成。适用于 CVD 工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO 纳米结构的可控生长、陶瓷电容 (MLCC) 气氛烧结等实验。

性能特点

炉膛采用多晶陶瓷纤维材料，保温性能好，拉伸强度高，无杂球，纯度高，节能效果明显优于其他纤维材料

炉体采用双层内胆式结构，中间有气隙隔离，即使炉膛温度达到最高点，炉体表面仍然可以安全触摸无滚烫感觉

炉体配有输出电压和输出电流监测表，炉子加热状态一目了然

超温报警并断电，漏电保护，操作安全可靠具有多重防护功能

可通气体	氮气、氩气等惰性气体
测温元件	N型热电偶
壳体结构	双层壳体结构带风冷系统
真空法兰	法兰一端带 1/4”卡套接头进气口，另一端带控压阀,气动泄压阀和放气阀。
供气系统	四路精密质子流量计：测量精度： ±1% F.S. 流量范围: : 0~200 sccm (按客户要求 ) 流量范围: : 0~200 sccm (按客户要求) 流量范围: : 0~200 sccm (按客户要求）流量范围: : 0~500 sccm (按客户要求) 通过触屏来调节气体流量
真空系统	旋片泵，真空度在空炉冷态可达 1pa，真空计：数显真空计实时显示真空度，精度高。
气体定量系统	整体可以控制压力范围 -20kpa 到 20 kpa (相对压力)
自动化控制触摸屏	触摸屏界面集成控制炉子，炉子部分需要先设好温度时间曲线。集成控制部分可以控制温度曲线的启停，真空度，气体流量,泄压阀等。

化学气相沉积所用的反应体系必须满足以下三个条件：

1、在沉积温度下，反应物必须有足够高的蒸汽压。假如反应物在室温下全部为气态，沉积装置就比较简单;假如反应物在室温下挥发性很小，就需要对其加热，使其挥发，而且一般还要用运载气体把它带入反应室，这样反应源到反应室的管道也需要加热，以防止反应气体在管道中冷凝下来。

2、反应的生成物，除了所需要的沉积物为固态薄膜外，其余都必须是气态。

3、沉积薄膜的蒸汽压应足够低，以保证在整个沉积反应过程中，沉积的薄膜能维持在具有一定温度的基体上。基体材料在沉积温度下的蒸汽压也必须足够低。

化学气相沉积的原理：

化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：

(1)形成挥发性物质　　

(2)把上述物质转移至沉积区域；　

(3)在固体上产生化学反应并产生固态物质。

基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。