产品简介

该双炉体CVD系统为定制款，适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

性能特点

控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单

双炉体滑轨式设计，可实现管式炉移动，达到快速升温和降温

中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强耐冲击分子泵，防止意外漏气造成分子泵损坏

产品型号	KJ-T1200-W2
管式炉部分
炉体结构	双层壳体结构，配有冷风系统自动降温炉壳温度
炉膛材质	真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，材料保温性能好、反射率高、温场均衡
最高温度	1200℃
使用温度	≤1100℃
升温速度	推荐≤10℃/min
炉管材料	石英管
炉管尺寸	外径:50mm内径:44mm 长1400mm （其他尺寸可根据客户需求定制）
加热区长度	200mm+200mm（双炉体）（其他尺寸可根据客户需求定制）
法兰	不锈钢密封法兰，拆卸方便，法兰上装有精密针阀
温控系统	温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，并可编制30段升降温程序； 1、采用PID方式调节控温，可设置30段升降温程序 2、控温精度±1ºC 3、具有过温保护、断偶保护 4、仪表具有温度自整定的功能
加热元件	合金电阻丝
测温元件	2支N型热电偶分别独立控温
进出气口	法兰上含有进出气口和精密针阀
气路系统部分
质量流量计	二路精密质量流量计：数字显示、气体流量自动控制。 MFC1 N2 范围: 0-1000 sccm MFC2 CO2范围: 0-1000 sccm 气路:2路