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1200℃高温真空CVD设备

1200℃高温真空CVD设备

型号:KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S

简介:高温真空CVD设备是一种特殊的高真空CVD系统,广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料,包括大范围的绝缘材料,以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。

产品简介

高温真空CVD设备是一种特殊的高真空CVD系统,广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料,包括大范围的绝缘材料,以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。

性能特点

  • 双层内胆炉壳,配有风冷系统,快速升降温
  • 多晶纤维炉膛,节能耐腐蚀
  • 微电脑PID控制器,操作简便

整个炉体采用双层内胆式结构,中间有气隙隔离,即使炉膛温度很高,炉体表面仍然可以安全触摸无滚烫感觉

重量轻、升温速度快、节能、省时、耐高温、耐腐蚀、保温性好,能满足多种快速烧结的要求

操作简便,控温准确、可靠、安全多段可编程控制,可以简化复杂的试验过程,真正实现自动控制和运行

技术参数

技术参数

结构 采用双层壳体结构,并带有风冷,用于降低炉体表面温度
加热元件 电阻丝
工作温度 ≤1100°C
最高温度 1200°C
最大升温速率 建议10°C/min
加热区长度 400mm (其他尺寸可根据客户需求定制)
温控系统 一个精密温度控制器 PID方式控制,通过可控硅 SCR可设置30段升降温程序。
控温精度  +/-1°C
炉管材质和尺寸 石英管           内径: 72mm x  外径: 80 mm   x 长度:1000 mm 
(其他尺寸可根据客户需求定制)
密封法兰 两个不锈钢密封法兰,法兰上已经安装数字式真空显示计,和阀门通过机械泵真空压力可以达到5x10-2 torr
真空泵 真空泵:一个双旋片式机械泵安装在移动架内通过此机械泵真空度可以达到 5x10^-2 torr 
气体流量计 4个浮子流量计,可同时混入4种不同气体。 
四通道控制 精度0.02% 、数字显示、自动控制
 

配置功能可选

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