化学气相沉积系统(CVD)
石墨稀、碳纳米管材料CVD设备该设备主要用于石墨稀、納米材料工艺涂层、多晶硅、碳化硅、扩散、氧化、退火等工艺。
大口径CVD管式炉包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。也可用于：真空烧结、真空气氛保护烧结、纳米材料制备、电池材料制备等多研究领域。
箱式化学气相沉积系统应用于大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。广泛用于高等院校、科研单位、工矿企业进行：高温实验、材料烧结、成分分析，质量检测等热处理工作。
1200℃双管滑道式CVD系统专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究。
流化床CVD系统主要用于物料及其复合碳化物等超高熔点涂层化学气相沉积制备工艺的研究。
高温化学气相沉积系统/cvd镀膜主要用于TaC、HfC等物料及其复合碳化物等超高熔点涂层化学气相沉积制备工艺研究
四路高温真空CVD设备化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中广泛用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
1200℃高温真空CVD设备高温真空CVD设备是一种特殊的高真空CVD系统，广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
1200度三温区CVD管式炉该系统广泛用于各种反应温度在1100℃左右的CVD实验，如半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
