化学气相沉积系统(CVD)
CVD管式炉该CVD管式炉适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、材料的气氛烧结等实验。主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
KJ150-XK实验型氧化扩散炉郑州科佳KJ150-XK是一款管式扩散氧化炉，适用于企业研发、大学及科研院所的科研与教学。可满足多晶硅、氮化硅、扩散、氧化、退火等工艺。
立式流化床CVD这款立式流化床CVD系统，专门针对粉末表面沉积的CVD实验。
立式双温区CVD系统该设备适用于CVD工艺，主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
1100度双温区滑道CVD这款双温区滑道CVD管式炉采用滑道设计，可以通过导轨左右滑动实现物料的快冷和快热；可同时连接6种气源，气体流量采用触屏6路质量流量控制器进行精确测量和控制。该高温CVD设备主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
1100度CVD管式炉郑州科佳生产的这款CVD管式炉广泛用于样品在真空和气氛条件下的烧结、涂层、纳米管研究、钎焊、退火等实验，适用于高校、研究机构实验室和工矿企业进行CVD工艺的科研和实验。
石墨烯CVD生长炉适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、二维材料生长、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
自动压力控制CVD管式炉主要用于稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等工业真空烧结、保护气氛烧结、CVD实验、真空沉积、材料成分测定场合。
三温区CVD管式炉该设备适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
