化学气相沉积系统(CVD)
高温化学气相沉积系统该高温化学气相沉积系统的工作温度为300℃至1600℃，配备真空泵，气体混合装置。采用智能温度控制系统，气体流量控制精度高，易于操作，出色的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
1200双温区触摸屏CVD系统KJ-T1200CVD是一种管式炉，配备60mm直径的高纯石英炉管、真空泵和四通道质量流量计+一个浮子流量计气体流动系统。它可以混合1-4种气体用于CVD或扩散。
1200度CVD设备KJ-T1200 CVD是一种管式炉，配备100mm直径石英管、真空泵和五通道质量流量计气体流动系统。 它可以混合1-5种气体用于CVD或扩散。该CVD高温管式炉主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
1500℃高温CVD 系统此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
3通道CVD设备此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
三温区CVD设备此款三温区CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
双炉体CVD设备该双炉体CVD系统为定制款，适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
带蒸发器定制款CVD系统广泛应用于半导体工业中，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料等的镀膜，该设备可在目标材料表面形成密集的HfCl4涂层.
小型CVD管式炉适用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火等试验。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
