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1300℃多工位管式炉广泛用于材料或化学实验室，以在真空或其他气体条件下烧结所有类型的新材料样品。
管式钎焊炉用于陶瓷电路、传感器烧结及退火处理、永磁合金制造、真空钎焊、真空除气、金属材料的无氧化光亮热处理等工艺。
旋转PECVD系统 该系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
大口径CVD管式炉包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。也可用于：真空烧结、真空气氛保护烧结、纳米材料制备、电池材料制备等多研究领域。
石墨烯CVD生长炉适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、二维材料生长、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
石墨烯生长炉PECVD设备KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制备机是由KJ-T1200开启式滑轨管式炉、真空系统、质量流量计气路系统、等离子电源系统组成。可适用于石墨烯生长等
碳纳米管/纳米线CVD生长炉这种碳纳米管/薄膜CVD设备可以实现连续和不间断生长。
立式流化床CVD这款立式流化床CVD系统，专门针对粉末表面沉积的CVD实验。
立式双温区CVD系统该设备适用于CVD工艺，主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
