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硅钼棒加热坩埚炉主要用于高纯化合物在真空或惰性气氛中的煅烧、半导体薄膜的烧结或铺展、陶瓷材料的烧结等。
1200℃PECVD系统该PECVD管式炉度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
高温石墨真空炉KJ-V1700真空炉广泛用于金属材料在低真空、递归、保护气氛中的热处理，也可用于特殊材料的热处理，如碳制品的碳化工艺。 炉膛为保温性能优良的石墨毡，以石墨为发热体
箱式脱脂炉该箱式脱脂炉主要用于 3D 打印材料的脱脂炉。 该炉采用外接电阻丝加热方式，使炉温更均匀，更换发热体更方便。
生物质热解装置生物质热解机组采用半自动流水线方式，实现进料同时出料，可收集碳、生物质油等，尾端装有自动点火装置，进行成分测试接口和气体测量装置。
三温区倾斜旋转管式炉该旋转管式炉由围绕圆柱形腔体的加热线圈/棒组成，其中温度由热电偶控制。 旋转管式炉可提供单区或多区分体式设计。 它们也可用于连续式或间歇式旋转管式炉。 管式炉可配备两个或多个加热区，可产生高达 1300°C 的温度。 一般设计将根据工艺温度、产量、气氛要求、材料特性、冷却要求等而有所不同。
通水蒸气实验小型回转炉科佳KJ-T1200-S100X管式炉的炉体配有双层壳体，配有冷风系统，自动降温，炉壳表面可安全触摸不烫手；炉膛采用日本技术真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，材料保温性能好、反射率高、温场均衡。该炉子是科研机构和高校实验室的选择。
PECVD系统适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
梯度旋转管式炉（六温区）自动进出料旋转管式炉适用于短时间加热的物料处理。首先将设备开始加热达到目标温度，然后将炉体调整一定倾斜角度，开启进料铰刀将物料连续送入炉管，物料穿过工作管的加热区，从另一端进入到储料罐内。热处理时间的长短取决于炉管的倾斜度、旋转速度、炉管长度以及物料的流动性。
温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
