产品简介
KJ-T1200-S6012LK3三温区管式气氛炉广泛用于冶金、机械、轻工、商检、高等院校及科研部门,可处理直径小于270mm的半导体样片。主要应用于CVD实验,荧光粉制备,真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境. 是各大材料实验室常备的理想设备之一。
性能特点
- 温控精准
- 可抽真空通气氛
- 超温保护和报警
三个加热区分别进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,控温精度可以达到±1℃
不锈钢金属法兰,带阀门和相关接口,拆装方便,可抽真空充保护气体至微正压
有超温保护和报警,及过热和热电偶断裂保护功能



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18137195607




温度范围
开门方式
工艺应用
加热元件及温区
炉膛尺寸
