产品简介

这款CVD炉可用于碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

性能特点

采用双层结构带风冷系统，壳体表面温度始终保持在安全范围内，内炉膛表面涂有氧化铝涂层,提高反射率及炉膛洁净度

控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，控温精度可以达到±1℃。

炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便，密封性强，带阀门和相关接口，可抽真空充保护气体。

设备名称	LCD触摸屏CVD高温炉
设备型号	KJ-TCVD1100-S80CK1W
高温炉壳体	采用双层壳体结构，并带有风冷系统，内炉膛表面涂有氧化铝涂层材料提高反射率及炉膛洁净度
加热元件	电阻丝
最高温度	1200℃
工作温度	≤1100℃
升温速率	1-10 ℃/min
炉管材质和尺寸	石英管: 直径:80mm x 长度:1000 mm （其他尺寸可按客户需求定制）
加热区长度	总加热区440mm
控制方式	LCD液晶触屏
热电偶	N型热电偶，3个校准热电偶测量的温度直接显示在炉体的液晶显示屏上
控温系统	PID30段程序化控温
控温精度	+/- 1 ℃
真空密封系统	两个不锈钢密封法兰(上面已安装真空计和截止阀）
高真空站结构	高真空站控制面板（基本用于分子泵速度和真空水平）：内部：涡轮分子真空泵站涡轮泵和前级泵-干泵和石英管之间的所有连接、配件和阀门截面均符合KF-25连接标准。
真空度	6.7*10-3PA（空置、室温条件下）
混气系统	三个质量流量计三路质量量程
售后服务	质保一年，终身保修